电子束蒸发/磁控溅射双功能镀膜系统

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收费标准

机时
800元/小时
送样
详见检测项目

设备型号

当前状态

管理员

黄家祥,聂利富

放置地点

芯片加工中心二期3F
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名称

电子束蒸发/磁控溅射双功能镀膜系统

资产编号

S1923168

型号

规格

产地

厂家

所属品牌

出产日期

购买日期

所属单位

深圳国际量子研究院

使用性质

科研

所属分类

镀膜类

资产负责人

聂利富

联系电话

联系邮箱

放置地点

芯片加工中心二期3F
  • 主要规格&技术指标
  • 主要功能及特色
主要规格&技术指标
具有三腔式设计,进样腔室和镀膜主腔 室通过超高真空闸板阀分隔,最高本底 真空可以达到5x10-10 Torr; 配置有四坩埚电子枪,6kW固态电源, 最高加速电压可到10kV,发射电流最大 600mA;以及两只3英寸磁控溅射枪,分 别可以进行DC/RF磁控溅射; 配置了一只考夫曼离子源KDC40,可以 进行原位的样品表面清洗和刻蚀; 最大样品直径:4英寸;
主要功能及特色
在高真空环境下,将电源作用于靶材,产生电场同时发射电子,同时通入 氩气。利用磁场与电场交互作用,使电子在靶表面附近成螺旋状运行,从而 增大电子撞击氩气产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面 从而溅射出靶材原子,将基底放置于靶材对面,即可获得沉积薄膜。 该设备可以进行Ti/Au/Al/Cr/SiO2/Al2O3等多种金属和氧化物材料薄膜电 子束蒸发沉积;也可以进行Ti/Al/Nb/Ta/Au等金属材料磁控溅射沉积以及 其氮化物反应溅射沉积。
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