紫外曝光机

  • 19/人
    使用者
  • 350/次
    总次数
  • 817/小时
    总时长
  • 8/人
    收藏者

收费标准

机时
600元/小时
送样
详见检测项目

设备型号

当前状态

管理员

贾浩,王浩宇 13612940339

放置地点

芯片加工中心二期1F
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名称

紫外曝光机

资产编号

18045736S

型号

规格

产地

厂家

所属品牌

出产日期

购买日期

所属单位

深圳国际量子研究院

使用性质

科研

所属分类

光刻类

资产负责人

黄家祥

联系电话

13612940339

联系邮箱

huangjx@mail.sustech.edu.cn

放置地点

芯片加工中心二期1F
  • 主要规格&技术指标
  • 主要功能及特色
主要规格&技术指标
光强:15mw/cm2 (波长 365nm时)
光强均匀性:≤±2.5%(150mm 基片)
对准精度:正面 ≤ ±0.5µm,背面 ≤ ±1µm。真空接触曝光精度 ≤0.8µm; 硬接触精度 ≤1µm; 软接触精度 ≤ 2µm; 接近式曝光精度 ≤ 2.5µm (1µm光刻胶条件下)。
主要功能及特色
UV400微光学系统,紫外光波长:350nm~450nm,微光学系统MOEO为SUSS在的瑞士子公司SUSS MicroOptics研发制造, 是SUSS的专利产品。基片找平方式:自动找平,侧向锁定方式,找平时3小球隔离掩膜板与基片,减少掩膜板沾污。掩模版架,2寸开孔(可放置2.5寸~4寸版),4寸开孔(可放置5寸~6寸版),6寸开孔(可放置7寸版)的掩膜版夹具各一个,都配置3陶瓷小球隔离接近式找平,陶瓷小球直径2毫米,精度±1um。
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