铟专用蒸发系统
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5/人使用者
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148/次总次数
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2105/小时总时长
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1/人收藏者
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收费标准
机时800元/小时送样详见检测项目 -
设备型号
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当前状态
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管理员
黄家祥,聂利富 -
放置地点
芯片加工中心二期1F
- 仪器信息
- 预约资源
- 检测项目
- 附件下载
- 公告
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名称
铟专用蒸发系统
资产编号
S2203645
型号
规格
产地
厂家
所属品牌
出产日期
购买日期
所属单位
深圳国际量子研究院
使用性质
科研
所属分类
镀膜类
资产负责人
聂利富
联系电话
联系邮箱
放置地点
芯片加工中心二期1F
- 主要规格&技术指标
- 主要功能及特色
- 设备使用相关说明
主要规格&技术指标
设备具有高真空双腔式设计，包括进样 腔室和蒸发腔室，最高本底真空可以达 到5x10-8 Torr； 配置了一只考夫曼离子源KDC40，可以 进行原位的样品表面清洗和刻蚀； 样品台可以实现-20摄氏度到+20摄氏度 之间精确控温； 用于金属In膜沉积，最大沉积速率达到 10nm/s，单次最大沉积厚度可达20um； 最大样品直径：8英寸；
主要功能及特色
设备专用于金属铟膜沉积，可用于芯片倒装焊工艺中的铟柱焊点制备 。
设备使用相关说明
必须在量子院芯片加工中心流片才能预约该设备；
干燥固态、薄膜。
样品直径≤8英寸
干燥固态、薄膜。
样品直径≤8英寸
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